英特爾推出業內最小巧先進之20nm制程技術

英特爾公司和美光科技公司最近針對NAND快閃記憶體製造環節，推出了一項更為精密的全新20nm制程技術。該項技術將用於生產容量達8GB (gigabyte) 的多層單元（MLC）NAND快閃記憶體，為智能手機、平板電腦和運算解決方案，如﹕固態硬碟（SSD），提供容量大、體積小的儲存產品選擇，用作儲存音樂、視頻、書籍及其他資料。

隨著數據儲存量持續增長，加上平板電腦和智能手機的功能不斷增強，對於NAND快閃記憶體技術產生嶄新需求，尤以更小體積結合更高容量的需求最為強烈。英特爾與美光合作推出的全新20nm制程8GB NAND快閃記憶體，體積僅為118平方毫米，與兩家公司採用現有25nm NAND制程的8GB NAND快閃記憶體相比，可節省三至四成的主板空間（取決於封裝類型）。這種快閃記憶體在佈局上節省的空間，可讓平板電腦和智能手機生產商將額外空間用於最終產品的改進上，例如採用較大的電池、擴大屏幕尺寸或增加晶片數量以支援新功能，從而實現更高的系統級效率。

全新的20nm制程8GB設備由英特爾與美光的NAND快閃記憶體合資企業IM Flash Technologies（IMFT）生產。它是NAND制程和技術設計上的一大突破，由於該項全新制程技術能較現有技術協助晶圓廠增加GB容量約50%，因此將NAND光刻技術升級為該項全新技術，可說是提高晶圓廠產量的最經濟高效方法。與此同時，全新20nm NAND 制程技術還保持與上一代25nm NAND制程技術相若的性能和耐用程度。

20nm 制程8GB快閃記憶體目前尚處於樣品階段，可望於今年下半年正式投產。英特爾和美光還希望屆時推出一款16GB快閃記憶體的樣品，可在體積較郵票更小的單一固態儲存解決方案中，提供高達128GB的儲存容量。