Micron 宣布提供第三代低延時 DRAM 樣品

Micron Technology 今日宣布開始提供其第三代低延時DRAM初期工程（RLDRAM 3記憶體）樣品。第三代低延時DRAM記憶體是一種高頻寬的記憶體技術，支援網絡信息的高效傳輸。它專門為高性能網絡應用程式量身定做，可支援需要連續讀寫作業或完全隨機存取的高端路由器及交換器，因此對40千兆和100千兆乙太網(GbE)、封包緩衝、檢測和查找表作業而言都是非常合適的方案。除此之外，第三代低延時DRAM記憶體在速度、密度、延遲時間和耗能方面也有大幅改善。

IP電視和影片點播等這類網路視頻服務不斷擴增，加上行動應用程式和雲端計算的興起，使得網絡基礎設施的效率必須不斷提高，以適應在線傳輸的數據量的需求。第三代低延時DRAM記憶體為網絡客戶提供結合了高頻寬和低延遲時間的解決方案，支援如100 GbE等更高的協定速度。

第三代低延時DRAM記憶體可維持高達2133 Mb/s的資料速率，並提供業界最低隨機存取延遲時間10納秒（ nanoseconds），另通過應用1.2V IO 電源和1.35V核心電壓提高用電能效。

Micron今日也宣布，Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)將成為其第三代低延時DRAM記憶體的另一家供應商，以確保滿足市場貨量需求，並與網絡客戶建立長遠關系。