MOSAID 公佈 HLNAND2 快閃記憶體規格
MOSAID Technologies 今天發佈了 HLNAND 2，其創新性 HLNAND（HyperLink NAND）快閃記憶體架構和介面取得了關鍵突破。HLNAND2 針對海量存儲應用，包括企業資料中心和高性能計算應用進行了優化，是第一個可使設計人員能夠輕鬆獲得每秒 GB 性能和 TB 級存儲容量固態硬碟（SSD）的 NAND 快閃記憶體介面。
MOSAID的HLNAND（HyperLink NAND）快閃記憶體規格2採用了高速、點對點環狀拓撲結構，將固態硬碟資料傳輸速率提高到每秒數GB範圍。HLNAND2支援每通道最高800MB/秒的原始資料速率和基於DuplexRW的每通道1600MB/秒資料傳輸速率，只需要一個記憶體通道就可使主機介面傳輸速率超過1GB/秒。相比之下，基於平行匯流排結構的NAND快閃記憶體介面傳輸速率最高為200MB/秒，而且只有少數設備每個通道都支援。
HLNAND的點對點介面降低了負荷，創造了非常乾淨的產生信號的環境，使開發者能開發有TB級容量的固態硬碟，同時不會降低資料速率。HLNAND的環狀拓撲結構還消除了內核端接功耗高這一困擾各種平行匯流排快閃記憶體的問題。
MOSAID研發副總裁Jin-Ki Kim表示：”固態硬碟利用HLNAND2介面架構，可實現無與倫比的性能和靈活性。我們預計在2011年晚些時候發佈HLNAND2工程樣品，使HLNAND2進入到大量的要求更高性能和可擴展性的快閃記憶體應用設計中。”
解決互連挑戰
人們對將各種架構的存儲系統與計算基礎設施相連接的更高速系統互連的需求日益上升。由於基於平行匯流排結構的NAND快閃記憶體介面的嚴重局限，固態硬碟必須設計有大量的通道，在許多情況下，通過多個快閃記憶體控制器和介面晶片進行分配。例如在常常使用多路PCIe介面連接存儲硬體的企業系統中，固態硬碟需要多達25至50個通道，連接到兩個或更多SATA快閃記憶體控制器、額外的RAID控制器以及PCIe主橋，提供系統互連需要的吞吐率。
由於互連速度提高，MOSAID的HLNAND快閃記憶體介面降低了SSD設計的複雜性，同時提高了容量。憑藉高擴展性以及與高速系統互連匹配的操作速度，HLNAND提供了設計各種存儲解決方案的更簡單的技術，而且不存在平行匯流排固有的擴展問題。HLNAND2介面與高速互連緊密匹配，因此促進了集成PCIe介面的快閃記憶體控制器的開發。這大大降低了快閃記憶體通道並行化的需要，擺脫了中間橋器件，因而降低了高擴展性及適合多種應用的高性能控制器的成本。
HLNAND2有8位元、同步、DDR資料匯流排，但採用了源同步時鐘，因此，運行頻率高達400MHz，能夠提供高達800MB/秒的吞吐率。其他功能還包括：
1. 與2代和3代PCIe等高速系統互連匹配的快閃記憶體介面速度
2. DuplexRW：DDR800同步讀寫，實際資料吞吐率為1600MB/秒，很好地適應了PCIe的雙工特性
3. 通過自動包截斷實現節能
4. 命令包內置EDC（錯誤檢測代碼），提供了分組協定通信的最佳可靠性。
