SPTS 和亞格里菲斯大學聯合開發矽上碳化矽技術
SPP Process Technology Systems (SPTS) 與澳大利亞格里菲斯大學今天宣佈簽署了一項致力於矽上碳化矽（SiC-On-Si）技術商業化的聯合開發協議（JDA）。矽上碳化矽襯底在迅速發展的發光二極體（LED）、微電機系統（MEMS）和功率器件市場有廣泛的用途。
碳化矽是生長製造LED所用的GaN薄膜的重要襯底。碳化矽具有更好的抗輻射能力、機械強度和熱特性，因此也成為MEMS器件所使用的矽的替代材料，使之更適合惡劣環境。此外，碳化矽還被用於生產針對大功率、高頻率應用的半導體器件，在這方面碳化矽的電特性顯著優於普通矽。
格里菲斯大學昆士蘭微米和納米技術中心（QMNC）下屬的昆士蘭微技術研究所（QMF）開發的新技術已經證明能夠直接在低成本矽晶圓上生長結晶碳化矽。通過這項聯合開發協議，SPTS將負責為這項技術的商業化開發熱處理和設備技術。
矽上碳化矽器件所需的三項關鍵技術是：碳化矽澱積、蝕刻和氧化。QMNC在所有這些領域都進行了面向商業化的研究。
